Ignacio Vicente Perez Quintana
Profesor Investigador Titular "A" ATC at Universidad Autónoma de Yucatán- Claim this Profile
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Bio
Experience
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Universidad Autónoma de Yucatán
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Higher Education
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400 - 500 Employee
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Profesor Investigador Titular "A" ATC
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Sep 2009 - Present
Impartir docencia en asignaturas de Fisica General y Laboratorios, desarrollar investigacion en las Areas de Materiales y Energias Alternativas, dirigir tesis de licenciatura y tesis de maestria. Impartir docencia en asignaturas de Fisica General y Laboratorios, desarrollar investigacion en las Areas de Materiales y Energias Alternativas, dirigir tesis de licenciatura y tesis de maestria.
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Universidad de la Habana
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La Habana
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Profesor Facultad de Fisica
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Sep 1984 - Present
Impartir las asignaturas de Fisica General y Laboratorios de Fisica Experimental, desarrollar investigacion en las Areas de Materiales y Energias Alternativas, dirigir tesis de licenciatura. Impartir las asignaturas de Fisica General y Laboratorios de Fisica Experimental, desarrollar investigacion en las Areas de Materiales y Energias Alternativas, dirigir tesis de licenciatura.
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Universidad de Modena y Reggio Emilia
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Modena, Italia
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Investigador en Fisica de Dispositivos Semiconductores
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Jul 2003 - Jul 2004
Estancia de investigacion en Fisica de Semiconductores a traves de Borsa di Studio Avanzati della Universita di Modena, con el Perito Internacional Giampiero Ottaviani, Professore Ordinario del Departamento de Fisica de la Universidad de Modena e Reggio Emilia y Director del MASEM Laboratories, en el tema de lograr una tecnologia que permita enlazar obleas de silicio como encapsulado sellante de NEMS y MEMS con de estructura de alumiio-germanio eutectica, por encargo de ST Microelectronics. Estancia de investigacion en Fisica de Semiconductores a traves de Borsa di Studio Avanzati della Universita di Modena, con el Perito Internacional Giampiero Ottaviani, Professore Ordinario del Departamento de Fisica de la Universidad de Modena e Reggio Emilia y Director del MASEM Laboratories, en el tema de lograr una tecnologia que permita enlazar obleas de silicio como encapsulado sellante de NEMS y MEMS con de estructura de alumiio-germanio eutectica, por encargo de ST Microelectronics.
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CIE, UNAM actual IER UNAM
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Temixco, Morelos, Mexico
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Investigador en Fisica
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Sep 1998 - Feb 1999
Estancia de investigacion en Fisica de los Semiconductores a traves de la Direccion General de Intercambio Academico (DGIA) de la UNAM con la Dra. Julia Tagüeña Parga en el tema del estudio del silicio poroso en presencia de catalizadores para aplicacion en celdas solares fotovoltaicas y con el Dr. Aarón Sánchez Juárez en la conclusion del estudio de las caracteristicas estructurales, electricas y opticas de las capas delgadas de ZnO y ZnO:In para aplicaciones fotovoltaicas. Estancia de investigacion en Fisica de los Semiconductores a traves de la Direccion General de Intercambio Academico (DGIA) de la UNAM con la Dra. Julia Tagüeña Parga en el tema del estudio del silicio poroso en presencia de catalizadores para aplicacion en celdas solares fotovoltaicas y con el Dr. Aarón Sánchez Juárez en la conclusion del estudio de las caracteristicas estructurales, electricas y opticas de las capas delgadas de ZnO y ZnO:In para aplicaciones fotovoltaicas.
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Investigador en Fisica de Dispositivos Semiconductores
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Sep 1993 - Sep 1994
Estancia de investigacion a traves de Borsa di Studio del ICTP-UNESCO de Trieste, Italia, con la Drsa. Enrircheta Susi en el tema del estudio de los defectos estructurales, fisico-quimicos y electricos sobre el Silicio Monocristalino que introduce el RIE (Reactive Ion Etching) como tecnica para transferir patrones de mascaras con resolucion de 1 micra en la fabricacion de dispositivos microelectronicos en base a silicio, por encargo de la Olivetti. Estancia de investigacion a traves de Borsa di Studio del ICTP-UNESCO de Trieste, Italia, con la Drsa. Enrircheta Susi en el tema del estudio de los defectos estructurales, fisico-quimicos y electricos sobre el Silicio Monocristalino que introduce el RIE (Reactive Ion Etching) como tecnica para transferir patrones de mascaras con resolucion de 1 micra en la fabricacion de dispositivos microelectronicos en base a silicio, por encargo de la Olivetti.
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LES, IIM, UNAM actual IER UNAM
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Temixco, Morelos, Mexico
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Investigador en Fisica
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Apr 1993 - Aug 1993
Estancia de investigacion en Fisica de los Semiconductores a traves de la Direccion General de Intercambio Academico (DGIA) de la UNAM con el Dr. Aarón Sánchez Juárez en el tema de celdas solares fotovoltaicas en base a silicio amorfo, para lo cual se hizo el montaje y puesta a punto de un sistema de Rocio Pirolitico, con el proposito de depositar capas de ZnO y ZnO:In sobre vidrio como un TCO previo al deposito de las capas p-i-n de silicio amorfo. Estancia de investigacion en Fisica de los Semiconductores a traves de la Direccion General de Intercambio Academico (DGIA) de la UNAM con el Dr. Aarón Sánchez Juárez en el tema de celdas solares fotovoltaicas en base a silicio amorfo, para lo cual se hizo el montaje y puesta a punto de un sistema de Rocio Pirolitico, con el proposito de depositar capas de ZnO y ZnO:In sobre vidrio como un TCO previo al deposito de las capas p-i-n de silicio amorfo.
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Investigador en Fisica
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Sep 1985 - Nov 1985
Estancia de investigacion a traves de Borsa di Studio del ICTP-UNESCO de Trieste con el Dr. Fabrizio Leccabue, en el tema de Crecimiento de Cristales Semiconductores en capas delgadas. Estancia de investigacion a traves de Borsa di Studio del ICTP-UNESCO de Trieste con el Dr. Fabrizio Leccabue, en el tema de Crecimiento de Cristales Semiconductores en capas delgadas.
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Education
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Universita di Modena e Reggio Emilia
Posdoctodal Position, Tecnología de fabricación de semiconductores -
Universidad de la Habana
Doctor en Ciencias Fisicas, Fisica de los Semiconductores -
Universidad de la Habana
Licenciatura en Fisica, Fisica del Estado Solido